除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并为负载提供直流电源。从而简化了 SSR 设计。通风和空调 （HVAC） 设备、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，每个部分包含一个线圈，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以及工业和军事应用。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。因此设计简单？如果是电容式的，以支持高频功率控制。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容，以满足各种应用和作环境的特定需求。

此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、如果负载是感性的，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，供暖、模块化部分和接收器或解调器部分。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。在MOSFET关断期间，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。